NE856M13 datasheet
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>> NE856M13 射频双极小信号晶体管 NPN Lo-Noise Hi-Gain datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
NE856M13
库存数量:
可订货
制造商:
CEL
描述:
射频双极小信号晶体管 NPN Lo-Noise Hi-Gain
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> 射频双极小信号晶体管
描述
射频双极小信号晶体管 NPN Lo-Noise Hi-Gain
NE856M13 PDF下载
制造商
CEL
配置
Single
晶体管极性
NPN
最大工作频率
集电极—发射极最大电压 VCEO
发射极 - 基极电压 VEBO
集电极连续电流
0.1 A
功率耗散
140 mW
直流集电极/Base Gain hfe Min
最大工作温度
封装 / 箱体
M13
封装
相关资料
属性
链接
代理商
NE856M13
NE856M13-A
NE856M13-T3
NE856M13-T3-A
NE88130-T1
NE88130-T1/JM
供应商
公司名
电话
深圳市华芯盛世科技有限公司
0755-23941632
朱先生/李小姐
深圳市逸盛通科技有限公司
13316584388
林廷
深圳市硕赢互动信息技术有限公司
朱科
深圳市众芯微电子有限公司
0755-83208010
陈小姐
深圳市华雄半导体(集团)有限公司
17623594308
苗凤军
深圳市一线半导体有限公司
0755-83789203
谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
NE856M13 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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